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中國自主研發內存即將問世 內存壟斷格局要變天了
日期: 2019-09-10
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在進軍NAND閃存之后,紫光集團前幾日又跟重慶政府簽署了合作協議,將在當地建設內存研發中心及晶圓廠,投資規模尚未公布,2021年將量產國產自主的內存芯片。


紫光集團今年6月份組建了DRAM內存事業部,委任刁石京為紫光集團DRAM事業群董事長,委任高啟全為紫光集團DRAM事業群CEO,正式進軍內存芯片產業,重慶的工廠預計今年底動工,2021年量產,工期約為兩年左右。


對于內存產業,紫光集團覬覦這個市場也不是一天兩天了,早前報道稱在投資NAND閃存生產為主的長江存儲之前,紫光最初打算就是先做DRAM內存的,不過內存的門檻更高,所需的人才、投資要求也更麻煩一些,所以紫光是先做了閃存,現在才正式進軍內存。


紫光之前公布的信息來看,得益于在長江存儲等公司上的積累,紫光集團已經組建了一只龐大的科研隊伍,存儲芯片方面的研發人員超過2000人,這是紫光建設內存工廠、研發生產內存的基礎。


目前全球的內存主要控制在韓國三星、SK海力士及美國美光三家公司中,他們占據的內存市場份額高達95%,而且技術也是最先進的,其他國家和地區的公司尚無能與之抗衡的。


從現實情況來看,紫光公司的內存工廠不僅還有2年時間才能量產,而且即便量產了,初期的產能也會非常有限,需要不斷解決良率、產能等問題,在全球內存市場每月大約200萬片晶圓的產能中,紫光公司未來幾年的份額都會非常小,很難在幾年內改變內存市場格局。



但是紫光進軍內存市場依然讓這些公司產生了警覺,尤其是這一年及未來的一兩年內,全球內存面臨產能過剩的問題,一旦中國公司進入戰場,勢必會展開價格戰,現有的公司非常擔心中國公司帶來的沖擊。

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